| 发明名称 | 一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构 | ||
| 摘要 | 一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构，包括N+型衬底，位于N+型衬底上的N型外延层，以及位于N型外延层上的元胞；N型外延层的表面上包括栅电极以及位于栅电极外侧的源电极；所述的源电极包括源极N型掺杂区域与源极P型掺杂区域，源极N型掺杂区域为阵列排布的梯形结构，梯形结构单元之间的引线作为电极的引出端。本实用新型将常规结构中源极N型掺杂区域的光刻板结构从条形改为梯形，使得不再需要因为电极隔离而保留比较宽的源电极N型掺杂区域，通过源极N型掺杂区域梯形结构之间的引线作为电极的引出端，减小了元胞的尺寸，提高了单位面积的元胞数量，从而提高了单位面积的电流密度，减小了VDMOS器件的封装尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN204130546U | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201420532621.X | 申请日期 | 2014.09.16 |
| 申请人 | 西安卫光科技有限公司 | 发明人 | 刘文辉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 蔡和平 |
| 主权项 | 一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构，其特征在于：包括N+型衬底(110)，位于N+型衬底(110)上的N型外延层(120)，以及位于N型外延层(120)上的元胞；N型外延层(120)的表面上包括栅电极(130)以及位于栅电极(130)外侧的源电极(150)；所述的源电极(150)包括源极N型掺杂区域(170)与源极P型掺杂区域(180)，源极N型掺杂区域(170)为阵列排布的梯形结构，梯形结构单元之间的引线作为电极的引出端。 | ||
| 地址 | 710065 陕西省西安市电子二路61号 | ||