| 发明名称 | 一种碲基复合薄膜及其在MIM电容中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种碲基复合薄膜及其在MIM电容中的应用，所述碲基复合薄膜为Zn<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>O<sub>8</sub>和TiTe<sub>3</sub>O<sub>8</sub>按质量百分数比为100∶(10～50)复合形成的薄膜，所述碲基复合薄膜还可以应用于MIM薄膜电容中的电容绝缘层。本发明中的碲基复合薄膜可在较低的退火温度退火，或者不经过热处理的条件下得到性能优良的薄膜电容，可避免高温退火对金属电极的氧化等影响，简化了工艺，降低了生产成本，同时，可与MMIC(单片微波集成电路)低温工艺兼容；本发明得到的碲基复合薄膜能达到半导体国际技术路线图(ITRS)规定的MIM电容材料的性能要求。 | ||
| 申请公布号 | CN104264111A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410479808.2 | 申请日期 | 2014.09.18 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 张继华;王磊;魏猛;陈宏伟;杨传仁 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 李明光 |
| 主权项 | 一种碲基复合薄膜，其特征在于，所述碲基复合薄膜为Zn<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>O<sub>8</sub>和TiTe<sub>3</sub>O<sub>8</sub>复合形成的薄膜。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||