| 发明名称 | 纳米线晶体管 | ||
| 摘要 | 一种纳米线晶体管，涉及半导体场效应晶体管技术领域，其中，晶体管为圆柱形，所述晶体管具有一SiGe材质的圆柱形衬底，该圆柱形衬底位于中心轴方向上外露的两端分别作为纳米线晶体管的源区和漏区，所述源极和漏极之间形成有沟道区；一圆筒状的栅氧化层将源区和漏区之间的衬底表面进行包覆，且该栅氧化层的外侧被一多晶硅栅所包覆；其中，所述源区、漏区的Ge含量和所述沟道区的Ge含量不同。采用压应变SiGe作为纳米线晶体管的材料，这样就提高了纳米线晶体管的空穴迁移率以及降低寄生电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104241371A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410375234.4 | 申请日期 | 2014.07.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 顾经纶 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种纳米线晶体管，其特征在于，所述晶体管具有一SiGe材质的圆柱形衬底，该圆柱形衬底位于中心轴方向上外露的两端分别作为纳米线晶体管的源区和漏区，所述源极和漏极之间形成有沟道区；一圆筒状的栅氧化层将源区和漏区之间的衬底表面进行包覆，且该栅氧化层的外侧被一多晶硅栅所包覆；其中，所述源区、漏区的Ge含量和所述沟道区的Ge含量不同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||