半导体装置;A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明之目的在于提高半导体装置之性能。本发明之半导体装置包含：相互分离形成于半导体基板上之电极16及虚设电极DE；形成于电极16与虚设电极DE之间、电极16之周侧面、及虚设电极DE之周侧面之电极23；及形成于电极16与电极23之间之电容绝缘膜27。藉由电极16、电极23及电容绝缘膜27而形成有电容元件。又，该半导体装置包含：插塞PG1，其贯通层间绝缘膜34与电极16电性连接；及插塞PG2，其贯通层间绝缘膜34，与电极23中形成于虚设电极DE之与电极16侧为相反侧之侧面之部分电性连接。