形成金属闸极结构之方法与形成金属闸极电晶体之方法

摘要

本发明提供一种形成金属闸极电晶体之方法，包括提供基底；于基底上形成堆叠之闸极介电层、功函数金属层与多晶矽层；于多晶矽层上形成硬遮罩与图案化光阻；去除图案化光阻；以及于去除图案化光阻之后，利用硬遮罩作为蚀刻遮罩而去除部分之多晶矽层与部分之功函数金属层，以形成闸极堆叠结构。由于本发明于形成闸极堆叠结构之前已先行去除图案化光阻，因此去除图案化光阻的制程不会损伤到后续之闸极堆叠结构，尤其不会影响到闸极堆叠结构的侧壁，避免于闸极介电层处形成鸟嘴状结构。

主权项

一种形成金属闸极结构之方法，包括：提供一基底；于该基底上形成堆叠之一闸极介电层、一功函数金属层与一多晶矽层；于该多晶矽层上形成一第一遮罩层；于该第一遮罩层上形成一第二遮罩层；于该第二遮罩层上形成一图案化光阻；利用该图案化光阻作为一蚀刻遮罩而去除部分之该第二遮罩层与部分之该第一遮罩层，俾形成一硬遮罩；去除该图案化光阻；以及于去除该图案化光阻之后，利用该硬遮罩作为一蚀刻遮罩而去除部分之该多晶矽层与部分之该功函数金属层，以形成一闸极堆叠(gate stack)结构。