| 发明名称 | 一种提高维持电压的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种提高维持电压的方法，包括：首先利用绝缘层上硅工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件；然后在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高维持电压的方法，利用SOI工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件，在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。此高维持电压可控硅作为静电保护器件应用在静电防护领域，具有优异的静电保护性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102543999B | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201210048324.3 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 姜一波;曾传滨 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种提高维持电压的方法，其特征在于，包括： 首先利用绝缘层上硅工艺制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的SOI可控硅器件； 然后在SOI可控硅器件的寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压； 所述可控硅器件寄生晶体管反馈路径包括：两个或两个以上的寄生晶体管形成的相互间的正反馈路径； 所述半导体元件是具有电流或者电压负反馈效用的半导体元件，包括二极管或MOS管，用于抑制可控硅自身的正反馈。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||