半导体积体电路装置之制造方法

摘要

本发明着眼于半导体积体电路装置之制造步骤中，在组合步骤中之切割后的晶片拾取步骤，如何减低因急速之晶片薄膜化造成拾取不良的重要问题。特别是晶片周边部因剥离动作而弯曲，极可能引起晶片破裂及缺口。;用于解决此等问题之本专利发明系在从切割胶带(黏着胶带)等，以吸引具真空吸着晶片而剥离情况下，藉由监控吸引具之真空吸着系统的流量，来监视晶片从黏着胶带完全剥离以前之晶片的弯曲状态者。

主权项

一种半导体积体电路装置之制造方法，其包含以下之步骤：(a)大致维持原本晶圆时之二维配置，将分割于各个晶片区域的复数个晶片，以将此等之背面固定于黏着胶带的状态，供给至晶片处理装置的步骤；及(b)在以吸着具真空吸着前述复数个晶片内之第1晶片的表面，且将前述第1晶片之前述背面的前述黏着胶带真空吸着于下部基座之上面的状态，使前述黏着胶带从前述第1晶片之前述背面剥离的步骤；前述步骤(b)包含以下之下位步骤：(b1)藉由计测前述吸着具之真空吸着系统的流量，以监控前述第1晶片从前述黏着胶带完全剥离以前之前述第1晶片的弯曲状态之步骤。