GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWING METHOD, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE

摘要

본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 갖고 있다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사(4)불화규소 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2).