反射型光罩、反射型光罩之制造方法及半导体装置之制造方法;REFLECTIVE MASK, METHOD OF MANUFACTURING A REFLECTIVE MASK AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明之课题在于提供一种可使相对于光罩使用时之EUV曝光光之对比度提高，又可使图案边缘部分之图案解像性提高而进行高解像度之图案转印的反射型光罩基底及反射型光罩。本发明之反射型光罩基底10包括基板1、于该基板上依序形成之反射EUV曝光光之多层反射膜2、及吸收EUV曝光光之吸收体膜4，且吸收体膜4由包含Ta之材料而形成，膜密度为6.0~16.0 g/cm 3 。反射型光罩20系将转印图案形成于该反射型光罩基底之吸收体膜而获得。