发明名称 电晶体阵列基板
摘要 一种电晶体阵列基板,包括一基板、多条扫描线、多条资料线与多个画素单元。扫描线与资料线皆配置在基板上。各个画素单元包括一电晶体与一画素电极。电晶体电性连接画素电极、扫描线与资料线。各个电晶体包括一闸极、一汲极、一源极、一金属氧化物半导体层与一通道保护层。汲极与源极之间存有一通道间隙。金属氧化物半导体层具有一对彼此相对的侧边缘,而这些侧边缘位于通道间隙的二端处。通道保护层覆盖通道间隙内的金属氧化物半导体层,并凸出于金属氧化物半导体层的这些侧边缘。
申请公布号 TWI459563 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW100111522 申请日期 2011.04.01
申请人 中华映管股份有限公司 桃园县杨梅市行善路80号 发明人 黄雅惠;陈冠妤;陈盈惠;陈德誉
分类号 H01L29/78;H01L23/52 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项 一种电晶体阵列基板,包括:一基板;多条扫描线与多条资料线,皆配置在该基板上,并且彼此交错;多个画素单元,各该画素单元包括一电晶体与一画素电极,各该电晶体包括:一闸极,配置于该基板上,并电性连接其中一该扫描线;一汲极,电性连接其中一该画素电极;一源极,电性连接其中一该资料线,其中该汲极与该源极之间存有一通道间隙;一金属氧化物半导体层,配置于该闸极与该汲极之间,以及该闸极与该源极之间,并具有一对侧边缘,其中该些侧边缘彼此相对,并位于该通道间隙的二端处;以及一通道保护层,覆盖该通道间隙内的该金属氧化物半导体层,并凸出于该金属氧化物半导体层的该些侧边缘;多个第一保护垫,配置于该些扫描线与该些资料线之间,并分别位于该些扫描线与该些资料线的交错处,其中各该第一保护垫包括一第一垫层与一第二垫层,而该些第一垫层位于该些第二垫层与该些扫描线之间;多条共用线,该些共用线皆配置在该基板上,并位于该些画素电极的下方,其中该些共用线与该些扫描线并列,并与该些资料线彼此交错;以及多个第二保护垫,该些第二保护垫配置于该些共用线与该些资料线之间,并分别位于该些共用线与该些资料线的交错处;其中各该第二保护垫包括一第三垫层与一第四垫层,而该些第三垫层位于该些第四垫层与该些共用线之间;以及该些第四垫层完全覆盖该些第三垫层与该些共用线。
地址 桃园县杨梅市行善路80号