具有挥发性及非挥发性记忆体部分之记忆体结构

摘要

本发明提供一种记忆体阵列(100)，其包括一电晶体(12、14)，该电晶体具有共用该电晶体(12、14)之一源极(16、22)、一汲极(18、24)及一通道之两个作用闸极。该等作用闸极(40、52)中之一者可耦接至一记忆体单元(诸如一动态随机存取记忆体(DRAM)单元)之一挥发性记忆体部分(36、104)，且另一作用闸极(40、52)可耦接至一非挥发性记忆体部分(34、102)，例如，诸如一半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(SONOS)单元之一电荷储存节点。本发明提供用于操作该记忆体阵列之方法(200)，其包括：将资料自该挥发性记忆体部分传送至该非挥发性记忆体部分(400)；将资料自该非挥发性记忆体部分传送至该挥发性记忆体部分(500)；及抹除一列记忆体单元之该非挥发性记忆体部分(300)。

主权项

一种装置，其包含：一电晶体，其包含：一第一闸极，其可开关地耦接至经组态以接通该电晶体之一第一信号；一第二闸极，其可开关地耦接至经组态以接通该电晶体之一第二信号，其中该第一闸极耦接至一非挥发性记忆体，及一安置于该第一闸极与该第二闸极之间的鳍状物，其中该鳍状物包含一源极、一汲极、一通道及一延伸穿过该鳍状物之一宽度的介电部分，该介电部分安置于该源极与该汲极之间且邻近于该通道之至少部分。