在半导体处理系统中离子源之清洗;ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS

摘要

本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较値采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。