| 发明名称 | 高纯度铜铬合金溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种高纯度铜铬合金溅射靶，其含有0.1～10重量％的Cr，其余为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在该靶表面中，对随机选择的5处100μm见方范围的Cr析出粒子数进行计数，计数的Cr析出粒子最多的部位与最少的部位的计数之差小于40个。其中，此时的Cr析出粒子是指Cr含量为70％以上、且粒子的大小为1～20μm的粒子。可见，通过在铜中添加适当量的Cr元素、并且使溅射靶的面内的Cr量的偏差减少，能够形成均匀性(均一性)优良的薄膜。特别是提供对于提高微细化、高集成化发展的半导体制品的成品率、可靠性有用的高纯度铜铬合金溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN104066869A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201380006493.3 | 申请日期 | 2013.01.21 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 大月富男;福岛笃志 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种高纯度铜铬合金溅射靶，其含有0.1～10重量％的Cr，其余为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在该靶表面中，对随机选择的5处100μm见方范围的Cr析出粒子数进行计数，计数的Cr析出粒子最多的部位与最少的部位的计数之差小于40个，其中，此时的Cr析出粒子是指Cr含量为70％以上、且粒子的大小为1～20μm的粒子。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||