发明名称 半导体微影接枝用共聚物之制造方法
摘要 〔课题〕本发明提供消除先前技术之难点,显影对比高、细微图案解晰性能优良、化学增感正片型之半导体微影用共聚物、含有该共聚物之半导体微影用组成物及该共聚物之制造方法。;〔解决手段〕本发明之半导体微影用聚合物,其系至少包含:具有以酸解离性抑制基保护硷可溶性基之构造之反覆单位(A);具有内酯构造之反覆单位(B);及具有醇性羟基之反覆单位(C)之共聚物,其特征在于:将该共聚物溶解于溶剂之后,以溴百里酚蓝作为指示剂,以含有氢氧化硷金属之溶液中和滴定之方法求得之酸价为0.01mmol/g以下。
申请公布号 TWI453536 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW096139450 申请日期 2007.10.22
申请人 丸善石油化学股份有限公司 日本 发明人 及川知;冈田刚宜;工藤昌章;山岸孝则
分类号 G03F7/004;C08F220/10 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种半导体微影用共聚物之制造方法,制造共聚物,其至少包含具有以酸解离性抑制基保护硷可溶性基之构造之反覆单位(A);具有内酯构造之反覆单位(B);及具有醇性羟基之反覆单位(C),其特征在于:将选自由给予反覆单位(A)之单体、给予反覆单位(B)之单体、给予反覆单位(C)之单体之至少一种以上,经以溶解于有机溶剂之状态使之与离子交换树脂接触之步骤后,供于共聚合,将所得共聚物溶解于溶剂之后,以溴百里酚蓝作为指示剂,以含有氢氧化硷金属之溶液中和滴定之方法求得之酸价为0.01mmol/g以下。
地址 日本