发明名称 利用三维矽穿孔技术(TSV)制作二维发光二极体显示阵列之方法及其显示阵列
摘要 本发明系关于一种利用三维矽穿孔技术(TSV)制作二维发光二极体显示阵列之方法及其显示阵列,系于一显示晶圆上设置复数个矩阵排列之发光二极体晶片,该些发光二极体晶片上分别设置一第一矽穿孔,该些第一矽穿孔内则分别设置一第一导电体,并于一驱动晶圆上设置复数个矩阵排列之驱动电路晶片,该些驱动电路晶片上分别设置一第二矽穿孔,该些第二矽穿孔内则分别设置一第二导电体,并将该显示晶圆及该驱动晶圆相压合,而形成二维发光二极体显示阵列,藉此,不用将每一发光二极体晶片与每一驱动电路晶片单独封装,而能提高显示阵列之解析度。
申请公布号 TWI453890 申请公布日期 2014.09.21
申请号 TW099106238 申请日期 2010.03.04
申请人 南台科技大学 台南市永康区南台街1号 发明人 唐经洲;余兆棠
分类号 H01L25/075;H01L23/52 主分类号 H01L25/075
代理机构 代理人 苏显读 台南市安平区庆平路191号4楼之2
主权项 一种利用三维矽穿孔技术(TSV)制作二维发光二极体显示阵列之方法,步骤如下:A.于一显示晶圆上制作一第一矽穿孔:在一显示晶圆上设置复数个矩阵排列之发光二极体晶片,并于该些发光二极体晶片上分别设置一贯穿该些发光二极体晶片之第一矽穿孔,该些第一矽穿孔内则分别设置一第一导电体;B.于一驱动晶圆上制作一第二矽穿孔:在一驱动晶圆上相对该显示晶圆之发光二极体晶片位置处设置复数个矩阵排列之驱动电路晶片,并于该些驱动电路晶片上相对该些发光二极体晶片之第一矽穿孔位置处分别设置一贯穿该些驱动电路晶片之第二矽穿孔,该些第二矽穿孔内则分别设置一第二导电体;C.压合该显示晶圆及该驱动晶圆:将该显示晶圆及该驱动晶圆相压合,使该些第一导电体及第二导电体相连接,而导通该显示晶圆上之发光二极体晶片及该驱动晶圆上之驱动电路晶片,形成一二维发光二极体显示阵列,并且不将发光二极体晶片与驱动电路晶片单独封装,而将该二维发光二极体显示阵列依需求切割成适当大小,或者将多组二维发光二极体显示阵列组合成为更大二维发光二极体显示阵列,之后整体进行封装。
地址 台南市永康区南台街1号