| 发明名称 |
III-Nitride Heterojunction Device |
| 摘要 |
A III-nitride power semiconductor device that includes a plurality of III-nitride heterojunctions. |
| 申请公布号 |
US2014264373(A1) |
申请公布日期 |
2014.09.18 |
| 申请号 |
US201414290811 |
申请日期 |
2014.05.29 |
| 申请人 |
International Rectifier Corporation |
发明人 |
Beach Robert |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L29/20 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
El Segundo CA US |
