高电子迁移率的半导体器件及其方法

摘要

本发明涉及高电子迁移率的半导体器件及其方法。在一个实施例中，III族-氮化物材料用于形成半导体器件。鳍形结构用III族-氮化物材料形成，且以与鳍形结构分离的关系形成栅结构、源电极和漏电极。该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中，栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。

主权项

一种半导体器件结构，包括：第一材料类型的衬底，该衬底具有第一主表面和第二主表面；在所述衬底的所述第一主表面上的第二材料类型的第一半导体区域；延伸进入所述第一半导体区域的第一沟槽，所述第一沟槽具有侧壁和底面；在所述第一半导体区域之上并且在所述第一沟槽内的第三材料类型的第二半导体区域，其中所述第二半导体区域配置为形成二维电子气2DEG区域，所述2DEG区域在邻近第一沟槽的侧壁处是半极化的且在邻近第一沟槽的底面处是极化的；在所述第一沟槽内并配置为控制所述2DEG区域的至少水平部分的控制电极；在所述第一沟槽内以及在所述控制电极上方并通过绝缘层与所述控制电极隔开的屏蔽导体层；以及电耦合于2DEG区域的第一载流电极。