发明名称 卷取式真空成膜方法及卷取式真空成膜装置
摘要 本发明提供一种卷取式真空成膜方法及卷取式真空成膜装置,系有效地维持清洁单元对于圆筒辊的清洁功能以进行高品质的成膜处理。在本发明的卷取式真空成膜方法及卷取式真空成膜装置中,在对基膜12进行成膜前,使清洁单元30接触于冷却用的圆筒辊14,并在非冷却状态下一边使圆筒辊14旋转一边进行清洁,藉此可防止清洁单元30过度冷却,并阻止已去除的粉尘的脱离,而有效率地进行清洁单元30对于圆筒辊14的除尘处理。此外,于清洁结束后,解除清洁单元30与圆筒辊14的接触状态,藉此能防止成膜时因圆筒辊14的冷却操作而使清洁单元30冷却,且将已从圆筒辊14之周面去除的粉尘予以保持而不会使其脱离。
申请公布号 TWI448575 申请公布日期 2014.08.11
申请号 TW096144225 申请日期 2007.11.22
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 广野贵启;野村常仁;多田勋;中塚笃
分类号 C23C14/56 主分类号 C23C14/56
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种卷取式真空成膜方法,系在减压环境内一边使基膜行进一边对前述基膜进行成膜之卷取式真空成膜方法,其特征为:在非冷却状态下一边使冷却用辊旋转一边使清洁单元接触于前述冷却用辊以清洁前述冷却用辊,在前述冷却用辊的清洁结束后,将前述冷却用辊予以冷却之前,解除前述清洁单元与前述冷却用辊的接触状态,在前述清洁单元与前述冷却用辊的接触状态已解除的状态下,将前述冷却用辊予以冷却,并一边使前述基膜密着于前述冷却用辊一边对前述基膜进行成膜。
地址 日本