发明名称 | 半导体积体电路;SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT | ||
摘要 | 一种化合物半导体积体电路晶片,其具有表面以及/或背面金属层,可用于连接至外部电路。该化合物半导体积体电路晶片(第一晶片)系包含一基板、一电子元件层、以及一介电层。一第一金属层系形成于该介电层之表面,一第三金属层则形成于基板背面。该第一金属层与第三金属层主要系由铜所构成,且系用于连接至其他外部的电子电路。第一晶片上之第一或第三金属层以三维的方式分布于第一晶片之电子元件上方或下方,一第二晶片可以设置堆叠于第一晶片之表面或背面,并透过第一或第三金属层电性连接两个晶片上分隔之连接节点。 | ||
申请公布号 | TW201431037 | 申请公布日期 | 2014.08.01 |
申请号 | TW102124796 | 申请日期 | 2013.07.10 |
申请人 | 稳懋半导体股份有限公司 | 发明人 | 高谷信一郎;萧献赋;林正国;花长煌 |
分类号 | H01L25/04(2014.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L25/04(2014.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>潘海涛</name><name>袁铁生</name> | |
主权项 | |||
地址 | WIN SEMICONDUCTORS CORP. 桃园县龟山乡华亚科技园区科技七路69号 |