发明名称 一种用于高压LED的反射弧型隔离槽
摘要 本实用新型公开了一种用于高压LED的反射弧型隔离槽,属于半导体器件领域。本实用新型的隔离槽为位于第一LED芯片和第二LED芯片之间、在互联电极以下的具有布拉格结构的反射层,反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成,最底部的第一隔离层由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成,左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。本实用新型中隔离槽采用的是布拉格反射结构且两侧与底部之间的夹角为钝角,使得LED芯片射到隔离槽部分的光经过反射又返回到芯片内部并从正面射出,这种结构造成的光能损失远小于现有结构在沟槽内的损失,避免了由于芯片间距小而导致的光线无法从侧面逸出的情况,大大提高了提升了高压LED的出光效率,提高了其亮度。
申请公布号 CN203746893U 申请公布日期 2014.07.30
申请号 CN201420042694.0 申请日期 2014.01.23
申请人 同辉电子科技股份有限公司 发明人 李珅;甄珍珍;王静辉;李晓波;王义虎;苏银涛;曹培
分类号 H01L33/46(2010.01)I 主分类号 H01L33/46(2010.01)I
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人 张二群
主权项 一种用于高压LED的反射弧型隔离槽,其特征在于该隔离槽为位于相邻两个LED芯片之间、在互联电极(108)以下的具有布拉格结构的反射层,反射层由三层以上的、结构形式相同的隔离层组成,最底部的第一隔离层(109)由自左向右依次连接的左部、底部和右部组成,左部与底部之间的夹角α和右部与底部之间夹角β均为钝角。
地址 050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
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