| 发明名称 | 脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。 | ||
| 申请公布号 | CN102593274B | 申请公布日期 | 2014.07.30 |
| 申请号 | CN201110132001.8 | 申请日期 | 2011.05.20 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发明人 | 陈凯轩;张银桥;蔡建九;张永;林志伟;单智发;张双翔;占荣;王向武 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人 | 李宁;唐绍烈 |
| 主权项 | 一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，其特征在于：在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源，通入金属有机化学气相沉积系统反应室的MO源、磷烷或掺杂源脉冲的持续时间为0.1s ‑ 10s，时间间隔为0.1s ‑ 10s，GaP电流扩展层的生长温度为500℃‑ 1000℃，生长压力为10mbar ‑ 500mbar，掺杂材料为Mg、Zn、C、Te、Si。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔岳路19号 | ||