Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Gemäß einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung werden Hartmaskenlinien (105) parallel in einem Substrat (100) gebildet und das Substrat (100) zwischen den Hartmaskenlinien (105) wird geätzt, um Rinnen (107) zu bilden. Ein Abschnitt der Hartmaskenlinie (105) und ein Abschnitt des Substrats (100) zwischen den Rinnen (107) werden geätzt. Eine obere Oberfläche des geätzten Abschnitts des Substrats (100) zwischen den Rinnen (107) ist höher als eine Bodenoberfläche der Rinne (107). Eine leitfähige Schicht (115) wird gebildet, um die Rinnen (107) zu füllen. Die leitfähige Schicht (115) wird geätzt, um jeweils leitfähige Muster (GE) in den Rinnen (107) zu bilden.