| 发明名称 | 一种连续可调带隙层状MoS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1-x)</sub>合金薄片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 二维原子层级别超薄材料在纳米电子学、光电子学和光子学应用的关键是其带隙的调节。本发明首次用一种简单的方法合成了组分渐变的三角形MoS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1-x)</sub>薄片，大小为几十微米，厚度为几个原子层。在激光激发下，样品的拉曼光谱及光致发光光谱很好地证实了其组分的可调性。所有的样品都展示出了很好的单一带边发射性能：光致发光位置从668纳米（MoS<sub>2</sub>）调节至795纳米（MoSe<sub>2</sub>），表明所合成全组分合金质量很高。这种带隙设计的二维结构在基本物理研究和纳米级功能性光电子器件的潜在性应用上将会令人关注。 | ||
| 申请公布号 | CN103938047A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410072086.9 | 申请日期 | 2014.02.28 |
| 申请人 | 湖南大学 | 发明人 | 潘安练;李洪来 |
| 分类号 | C22C29/00(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I | 主分类号 | C22C29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 颜勇 |
| 主权项 | 一种连续可调带隙层状MoS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1‑x)</sub>合金薄片，其特征在于：所述MoS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1‑x)</sub>合金薄片的化学式为MoS<sub>2x</sub>Se<sub>2(1‑x)</sub>，所述化学式中，x的取值为0‑1，不包括1。 | ||
| 地址 | 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号 | ||