| 发明名称 | 薄膜加工设备的下极板及应用该下极板的等离子体加工设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜加工设备的下极板及应用该下极板的等离子体加工设备，其中，所述薄膜加工设备的下极板包括：至少两层子极板，各层子极板叠加设置；其中，位于最上层的第一子极板中设有通气孔，第二子极板位于所述第一子极板下方，至少一层子极板中具有第一通气槽；所述通气孔一端位于第一子极板的上表面，另一端与所述第一通气槽连通，所述第一通气槽与外部环境连通。本发明提供的薄膜加工设备的下极板及应用该下极板的等离子体加工设备，能够避免等离子体由凹槽进入晶片背面而在晶片背面的沉积薄膜，进而提高产品的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN102330073B | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201010230733.6 | 申请日期 | 2010.07.13 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张风港 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种半导体晶片薄膜加工设备的下极板，其特征在于，包括：至少两层子极板，各层子极板叠加设置；其中，位于最上层的第一子极板中设有通气孔，第二子极板位于所述第一子极板下方，至少一层子极板中具有第一通气槽；所述通气孔一端位于第一子极板的上表面，另一端与所述第一通气槽连通，所述第一通气槽与外部环境连通。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||