制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：形成外槽，该外槽包括第一沟槽和形成在该第一沟槽下方的第二沟槽，第二沟槽通过刻蚀衬底而形成；通过执行热氧化工艺而形成电介质层，所述电介质层填充所述第二沟槽，使得所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；沿包括所述电介质层的半导体结构的表面形成栅电介质层；以及在所述栅电介质层上形成栅极，所述栅极填充所述外槽的其余部分。

主权项

一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：形成外槽，所述外槽包括：第一沟槽；和形成在所述第一沟槽下方的第二沟槽，所述第二沟槽通过刻蚀衬底而形成；通过执行热氧化工艺形成电介质层，所述电介质层填充所述第二沟槽，使得所述电介质层的宽度小于所述第一沟槽的宽度；沿包括所述电介质层的半导体结构的表面形成栅电介质层；以及在所述栅电介质层上形成栅极，所述栅极填充所述外槽的其余部分；在所述外槽的每一侧上的所述衬底中形成第一导电类型的阱；在所述阱中形成第二导电类型的源区域；在所述衬底的整个表面上形成层间电介质层；以及通过刻蚀所述层间电介质层和所述源区域的衬底，限定穿过所述源区域露出所述阱的接触孔，该方法在所述形成栅电介质层的步骤前还包括填充在所述电介质层中产生的孔隙的步骤，其中，所述填充孔隙的步骤包括以下步骤：沿结构的表面淀积牺牲层，以填充在所述电介质层中产生的所述孔隙；将所述牺牲层转变为与所述电介质层相同的层；以及除了所述牺牲层的填充在所述孔隙中的部分外，去除所述牺牲层的其他部分。