| 发明名称 | 基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。本发明基于体硅，无自加热效应；采用常规的栅极氧化层；并且为后隔离层工艺，无需进行侧墙工艺；有源区与栅极上表面在同一水平面，利于后续接触孔工艺。硅纳米线纵向堆叠，利于器件集成度增大和器件电流驱动能力增大。 | ||
| 申请公布号 | CN102623322B | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201210093982.4 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄晓橹 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；对所述硅纳米线进行热氧化；蚀刻掉所述热氧化形成的二氧化硅；在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||