| 发明名称 | 用于制造发射辐射的薄膜器件的方法和发射辐射的薄膜器件 | ||
| 摘要 | 在用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法的至少一个实施形式中，该方法具有以下步骤：-提供衬底(2)，-在衬底(2)上生长纳米棒(3)，-在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，-在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及-通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(6)与衬底(2)分开。通过这种制造方法，可以减少半导体层序列(4)中由通过生长引起的机械应力和裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN102210032B | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN200980144647.9 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 汉斯-于尔根·卢高尔;克劳斯·施特罗伊贝尔;马丁·斯特拉斯伯格;赖纳·温迪施;卡尔·恩格尔 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;周涛 |
| 主权项 | 一种用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法，其具有以下步骤：‑提供衬底(2)，‑在衬底(2)上生长纳米棒(3)，‑在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，‑在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及‑通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(5)与衬底(2)分开，其中‑纳米棒(3)没有有源区地生长，‑生长由不同的材料制成的纳米棒(3)和半导体层序列(4)，以及‑纳米棒(3)在背离衬底(2)的侧上具有上部(7)，并且上部(7)形成封闭层(9)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||