| 发明名称 | 肖特基势垒二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种肖特基势垒二极管，其包括：n+型碳化硅衬底；布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层，其包括电极区以及位于电极区的外部的端接区；布置在端接区中的n-型外延层上的第一沟槽和第二沟槽；布置在第一沟槽和第二沟槽的下方的p区；布置在电极区中的n-型外延层上的肖特基电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一沟槽和第二沟槽位置相邻以形成台阶。 | ||
| 申请公布号 | CN103915511A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201310542137.5 | 申请日期 | 2013.11.05 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社 | 发明人 | 洪坰国;李钟锡;千大焕;郑永均 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种肖特基势垒二极管，包括：n+型碳化硅衬底；n‑型外延层，布置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上且包括电极区和位于所述电极区的外部的端接区；第一沟槽和第二沟槽，布置在所述端接区中的n‑型外延层上；p区，布置在所述第一沟槽和所述第二沟槽的下方；肖特基电极，布置在所述电极区中的n‑型外延层上；以及欧姆电极，布置在所述n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽位置相邻以形成台阶。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||