发明名称 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
摘要 |
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat ein Halbleiterbauelement (150) ein Substrat (100) mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche gegenüber der ersten Fläche. Außerdem hat das Substrat (100) ein erstes Loch. Mehrere Anschlussdrähte (110, 112) sind über der ersten Fläche des Substrats (100) angeordnet, und ein Chip-Paddle (106) ist in dem ersten Loch angeordnet. Des Weiteren ist ein Verkapselungsmittel (140) auf dem Chip-Paddle (106) und den mehreren Anschlussdrähten (110, 112) angeordnet. |
申请公布号 |
DE102013114938(A1) |
申请公布日期 |
2014.07.03 |
申请号 |
DE201310114938 |
申请日期 |
2013.12.30 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SOLLER, TYRONE JON DONATO |
分类号 |
H01L23/50;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/34;H01L25/065 |
主分类号 |
H01L23/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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