发明名称 |
薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜沉积装置,包括晶舟,反应炉管和气体供给单元。晶舟包括多个支柱以及设置于所述多个支柱内周侧相互对应位置、用于保持所述多个硅片的外周侧的多个保持部。每一所述支柱的多个保持部配置为:各个相邻的所述保持部的间隔以第一间隔和第二间隔依次交替排列且间隔为所述第一间隔的两个相邻的保持部以待处理表面相对的方式保持所述硅片,所述第一间隔大于所述第二间隔。本发明能够有效提高膜厚均匀性。 |
申请公布号 |
CN103898476A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410161239.7 |
申请日期 |
2014.04.22 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
江润峰;曹威;戴树刚 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种薄膜沉积装置,其特征在于,包括:可保持多个硅片的晶舟;容纳所述晶舟及其保持的所述多个硅片的反应炉管;以及向所述反应炉管内供给反应气体以对所述多个硅片的待处理表面进行薄膜沉积工艺的气体供给单元,其中,所述晶舟包括:多个支柱;设置于所述多个支柱内周侧相互对应位置、用于保持所述多个硅片的外周侧的多个保持部;每一所述支柱的多个保持部配置为:各个相邻的所述保持部的间隔以第一间隔和第二间隔依次交替排列且间隔为所述第一间隔的两个相邻的保持部以待处理表面相对的方式保持所述硅片,所述第一间隔大于所述第二间隔。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |