发明名称 |
无氰电镀银栅多晶硅电池片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种无氰电镀银栅多晶硅电池片,包括硅片及印制在硅片上的主栅和细栅导线,所述主栅和细栅导线由底部的银浆层和覆盖在银浆层上的电镀银层构成。本发明所获得的银浆与银镀层的复合层,银浆层与基体硅有非常好的结合力,银镀层平滑一致,晶粒结晶细密,电镀银层与银浆层之间的结合也较为紧密。且相比单独的银浆层,复合层仅需较小的厚度就能满足要求,因而减小了接触电阻和体电阻,有利于栅线收集和导出电流,因而有利于提高光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN103887349A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201410131939.1 |
申请日期 |
2014.04.03 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
高立军;袁丹丹;熊光涌;章灵军 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
刘懿 |
主权项 |
一种无氰电镀银栅多晶硅电池片,其特征在于:包括硅片(1)及印制在硅片(1)上的主栅和细栅导线,所述主栅和细栅导线由底部的银浆层(2)和覆盖在银浆层(2)上的电镀银层(3)构成。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |