发明名称 |
静电放电保护电路、结构及射频接收器 |
摘要 |
本发明提供一种静电放电保护电路、结构及射频接收器,该保护电路包括一硅控整流器以及一电感。硅控整流器包括一第一P型半导体材料、一第一N型半导体材料、一第二P型半导体材料及一第二N型半导体材料。第一P型半导体材料、第一N型半导体材料、第二P型半导体材料及第二N型半导体材料交错排列,并且电性耦接至一阳极与一阴极。阳极电性耦接第一P型半导体材料。阴极电性耦接第二N型半导体材料。电感电性耦接于阳极与第二P型半导体材料之间,或是电性耦接于阴极与第一N型半导体材料之间。本发明提供静电放电保护电路可补偿在高频频段下硅控整流器的寄生电容所造成的影响,从而避免失真现象。 |
申请公布号 |
CN102163840B |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201010207484.9 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
柯明道;林群祐 |
分类号 |
H02H9/00(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;高雪琴 |
主权项 |
一种静电放电保护电路,包括:一硅控整流器,包括一第一P型半导体材料、一第一N型半导体材料、一第二P型半导体材料及一第二N型半导体材料,该第一P型半导体材料、该第一N型半导体材料、该第二P型半导体材料及该第二N型半导体材料交错排列,并且电性耦接至一阳极与一阴极,其中该阳极电性耦接该第一P型半导体材料,该阴极电性耦接该第二N型半导体材料;以及一电感,电性耦接于该阳极与该第二P型半导体材料之间,或是电性耦接于该阴极与该第一N型半导体材料之间。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |