发明名称 Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen und transparenten Zinkoxidschicht und Verwendung derselben in einer Dünnschichtsolarzelle
摘要 Verfahren zur Herstellung einer leitfähigen und transparenten Zinkoxidschicht auf einem Substrat durch reaktives Sputtern mit einem metallischen Zn Target mit einer Dotierung, wobei der Dotiergehalt des Targets weniger als 2,3 at-% beträgt, eine Substrattemperatur oberhalb von 200°C eingestellt wird, und eine dynamische Depositionsrate von mehr als 50 nm·m/min eingestellt wird, welche einer statischen Depositionsrate von mehr als 190 nm/min entspricht, wobei der Prozess einen Hysteresebereich aufweist und ein stabilisierter Arbeitspunkt innerhalb des instabilen Prozessbereichs gewählt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der stabilisierte Arbeitspunkt innerhalb des instabilen Prozessbereichs so gewählt wird, dass er zwischen dem Umkehrpunkt zwischen stabilem, metallischen und instabilem Prozess und dem Wendepunkt der stabilisierten Prozesskurve liegt.
申请公布号 DE102004003760(B4) 申请公布日期 2014.05.22
申请号 DE20041003760 申请日期 2004.01.23
申请人 FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH 发明人 RECH, BERND, DR.;HÜPKES, JÜRGEN;KLUTH, OLIVER;MÜLLER, JOACHIM, DR.
分类号 H01L21/285;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/34;H01L31/0224;H01L31/18 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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