发明名称 |
阻变存储器件及其驱动方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阻变存储器件,所述阻变存储器件包括:多个存储器单元,每个存储器单元被配置成储存正常数据、与第一电阻状态相对应的第一参考数据以及与第二电阻状态相对应的第二参考数据;数据复制单元,被配置成暂时储存从选中的存储器单元读取的正常数据,并且基于储存的正常数据来产生复制的单元电流;镜像块,被配置成暂时储存从选中的存储器单元读取的第一参考数据和第二参考数据,并且分别基于储存的第一参考数据和第二参考数据来产生第一参考电流和第二参考电流;以及感测单元,被配置成基于复制的单元电流以及第一参考电流和第二参考电流来感测储存的正常数据。 |
申请公布号 |
CN103811052A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201310170871.3 |
申请日期 |
2013.05.10 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
任爀祥;宋泽相 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;周晓雨 |
主权项 |
一种阻变存储器件,包括:多个存储器单元,每个存储器单元被配置成:储存正常数据、与第一电阻状态相对应的第一参考数据、以及与第二电阻状态相对应的第二参考数据;数据复制单元,所述数据复制单元被配置成:暂时储存从选中的存储器单元读取的正常数据,并且基于储存的正常数据来产生复制的单元电流;镜像块,所述镜像块被配置成:暂时储存从选中的存储器单元读取的所述第一参考数据和所述第二参考数据,并且分别基于储存的第一参考数据和第二参考数据来产生第一参考电流和第二参考电流;以及感测单元,所述感测单元被配置成:基于复制的单元电流以及所述第一参考电流和所述第二参考电流来感测储存的正常数据。 |
地址 |
韩国京畿道 |