| 发明名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了FinFET及其制造方法。该FinFET的制造方法包括：在半导体衬底上形成用于限定半导体鳍片的开口；形成栅极电介质，该栅极电介质共形地覆盖半导体鳍片和开口；在开口内形成第一栅极导体，该第一栅极导体与半导体鳍片的下部相邻；在开口内形成位于第一栅极导体上的绝缘隔离层；形成第二栅极导体，该第二栅极导体的第一部分位于绝缘隔离层上并且与半导体鳍片的上部相邻，该第二栅极导体的第二部分位于半导体鳍片上方；在第二栅极导体侧壁上形成侧墙；以及在半导体鳍片中形成源区和漏区。本发明的FinFET利用第一栅极导体向半导体鳍片的下部施加偏压以减小源区和漏区之间的泄漏。 | ||
| 申请公布号 | CN103811343A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210447946.3 | 申请日期 | 2012.11.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种FinFET的制造方法，包括：在半导体衬底上形成用于限定半导体鳍片的开口；形成栅极电介质，该栅极电介质共形地覆盖半导体鳍片和开口；在开口内形成第一栅极导体，该第一栅极导体与半导体鳍片的下部相邻；在开口内形成位于第一栅极导体上的绝缘隔离层；形成第二栅极导体，该第二栅极导体的第一部分位于绝缘隔离层上并且与半导体鳍片的上部相邻，该第二栅极导体的第二部分位于半导体鳍片上方；在第二栅极导体侧壁上形成侧墙；以及在半导体鳍片中形成源区和漏区。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||