发明名称 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法,涉及电子材料。该材料包括主成份配方和掺杂成份,主成份配方为:65wt%≤Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份为:0<Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤0.6wt%,0<Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤4wt%。其制备方法采用普通氧化物制备法,在1030℃~1070℃预烧,930℃~950℃烧结。工艺流程简单、无污染且适于大批量生产。本发明能制备出的铁氧体材料,烧结温度低于960℃的基础上,不仅具有高的磁导率,而且具有低的磁损耗,其中在13.56MHz具有当磁导率实部μ′为170左右时,磁导率虚部μ″为2以下。由于优质的高频特性,可在EMI、SMD、MLCI等领域广泛应用。
申请公布号 CN103803963A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201310738102.9 申请日期 2013.12.27
申请人 电子科技大学 发明人 梁迪飞;王亮;杨宏伟;关梦然;陈良;谢建良;邓龙江
分类号 C04B35/30(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/30(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 张杨
主权项 一种NiCuZn铁氧体材料,包括主成份配方和掺杂成份,其特征在于:主成份配方质量百分比为:65wt%≤Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份占主成份质量百分比为:0<Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤0.6wt%;0<Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤4wt%。
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