发明名称 |
一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法,涉及电子材料。该材料包括主成份配方和掺杂成份,主成份配方为:65wt%≤Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份为:0<Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤0.6wt%,0<Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤4wt%。其制备方法采用普通氧化物制备法,在1030℃~1070℃预烧,930℃~950℃烧结。工艺流程简单、无污染且适于大批量生产。本发明能制备出的铁氧体材料,烧结温度低于960℃的基础上,不仅具有高的磁导率,而且具有低的磁损耗,其中在13.56MHz具有当磁导率实部μ′为170左右时,磁导率虚部μ″为2以下。由于优质的高频特性,可在EMI、SMD、MLCI等领域广泛应用。 |
申请公布号 |
CN103803963A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201310738102.9 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
梁迪飞;王亮;杨宏伟;关梦然;陈良;谢建良;邓龙江 |
分类号 |
C04B35/30(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/30(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
张杨 |
主权项 |
一种NiCuZn铁氧体材料,包括主成份配方和掺杂成份,其特征在于:主成份配方质量百分比为:65wt%≤Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤70wt%,14wt%≤ZnO≤18wt%,13wt%≤NiO≤16wt%,0wt%<CuO≤4.5wt%;掺杂成份占主成份质量百分比为:0<Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤0.6wt%;0<Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤4wt%。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |