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一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，所述混合存储器结构包括DRAM、非易失性存储器和逻辑检测模块，以及可在所述混合存储器上配置的温度传感器，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，检测所述DRAM内部最差存储单元信息，并将最差存储单元信息存储在所述非易失性存储器中；步骤2，如果所述DRAM处于繁忙状态，所述DRAM以常规刷新模式工作，此时所述DRAM的刷新周期为常规刷新周期；步骤3，如果所述DRAM处于非繁忙状态，那么所述DRAM进入低功耗刷新模式，所述低功耗刷新模式包括温度敏感模式和温度不敏感模式，如果选择温度敏感模式，那么进入步骤4，如果选择温度不敏感模式，则进入步骤5；步骤4，如果所述DRAM运行在温度敏感模式下，所述非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内在步骤1中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温度变化到另一温度范围，那么更新最差存储单元信息，更新刷新周期；步骤5，如果所述DRAM运行在温度不敏感模式，所述非易失性存储器中的存储单元替代在步骤1中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM的刷新周期；如果在某一时刻所述DRAM运行温度超过规定值时，所述DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。 |
