发明名称 |
多栅极存储器的控制栅极字线驱动器电路 |
摘要 |
本发明涉及多栅极存储器的控制栅极字线驱动器电路。存储器(101)具有多栅极存储器单元阵列(103)和耦合于所述阵列的存储器单元的分区的字线驱动器电路(115)。在至少一个操作模式中,所述字线驱动器电路可控制成在所述分区是非选择的分区的读取操作期间将耦合于所述控制栅极字线驱动器并且耦合于所述分区的相关控制栅极字线设置于浮置状态。 |
申请公布号 |
CN103794248A |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201310505480.2 |
申请日期 |
2013.10.24 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
G·穆勒;R·J·西兹代克 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
陈华成 |
主权项 |
一种存储器,包括:多栅极存储器单元阵列;地址解码器;控制栅极字线驱动器电路,耦合于所述地址解码器并且耦合于所述阵列的存储器单元的分区,所述控制栅极字线驱动器电路可控制成在所述分区是非选择的分区的至少一种操作模式中,在读取操作期间将耦合于所述控制栅极字线驱动器并且耦合于所述分区的相关的控制栅极字线设置于浮置状态。 |
地址 |
美国得克萨斯 |