一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，该半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁；步骤S102：在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层；步骤S103：在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁，其中，临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下。本发明的半导体器件的制造方法，由于增加了在栅极主侧壁外侧形成延伸至STI表面的保护侧壁的工艺，避免了与STI相邻位置的阻挡层缺损、高k介电层缺损及金属栅极底部凸起等不良，提高了器件良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁；步骤S102：在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层；步骤S103：在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁，其中，临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下。