蚀刻方法和装置

摘要

本发明提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途；沉积物去除工序，使第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜（222）暴露于被氧等离子体中，去除沉积在残存的绝缘膜（222）的表面上的沉积物；和第二蚀刻工序，使残存的绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对残存的绝缘膜（222）进行蚀刻。

主权项

一种蚀刻方法，其为对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻的方法，该蚀刻方法的特征在于，包括：第一蚀刻工序，使所述绝缘膜暴露于被等离子体化的第一处理气体中，一边进行沉积物的沉积、一边对所述绝缘膜在厚度方向上部分地进行蚀刻；沉积物去除工序，在所述第一蚀刻工序结束后，使所述沉积物暴露于氧等离子体中，去除所述沉积物；和第二蚀刻工序，使所述第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜暴露于被等离子体化的第二处理气体中，对所述残存的绝缘膜进行蚀刻。