发明名称 |
控制非易失性存储器件的控制器以及控制器的操作方法 |
摘要 |
一种控制器的操作方法包括:选择码字的要打孔的位;根据要打孔的位的位置和生成矩阵计算单元的结构,检测输入字的无用位的位置;重新冻结输入字以便使冻结位和输入字的无用位重叠;通过根据重新冻结结果用冻结位取代信息字位来生成输入字位;通过对输入字位进行生成矩阵计算来生成码字;通过根据要打孔的位的位置对码字打孔来生成输出位;以及将输出位发送给非易失性存储器件。 |
申请公布号 |
CN103778958A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201310487893.2 |
申请日期 |
2013.10.17 |
申请人 |
三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团 |
发明人 |
申东旻;梁景喆;任胜灿;李起准;孔骏镇 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
刘虹 |
主权项 |
一种操作用于非易失性存储器件的控制器的方法,该方法包含:选择极性编码的码字的要打孔的位;根据要打孔的位的位置和与极性码编码相关联的生成矩阵的结构,检测由于打孔损失的输入字的位的位置;重新冻结输入字以便使冻结位和输入字的无用位重叠;通过根据重新冻结的输入字用冻结位取代输入字的信息字位,来生成修改的输入字;根据修改的输入字生成极性编码的码字;将极性编码的码字打孔以生成输出位;以及将输出位发送给该非易失性存储器件。 |
地址 |
韩国京畿道 |