晶片级芯片规模封装（WLCSP）的保护

摘要

根据示例实施例，提供了一种用于装配经晶片级芯片规模处理(WLCSP)的晶片的方法。晶片具有前侧表面和背侧表面以及在前侧表面上具有电接触的多个器件管芯。该方法包括：将晶片的背侧表面背侧研磨至一定厚度。将一定厚度的保护层施加至晶片的背侧表面上。将晶片安装到切割箔上。沿多个器件管芯的切割线来切割晶片，该切割利用第一切口的刀片进行且切割至背侧研磨晶片厚度的深度。再次沿多个器件管芯的切割线切割晶片，该切割利用第二切口的刀片进行，第二切口比第一切口窄，且切割至保护层厚度的深度。将多个器件管芯分离为单独的器件管芯。每一个单独的器件管芯在背侧具有保护层，保护层具有相对于单独器件管芯的竖直边缘的偏距。

主权项

一种用于装配经晶片级芯片规模处理WLCSP的晶片的方法，所述晶片具有前侧表面和背侧表面，多个器件管芯在前侧表面上具有电接触，所述方法包括：将晶片的背侧表面背侧研磨至一定厚度；将一定厚度的保护层施加至晶片的背侧表面上；将WLCSP晶片在具有保护层的背侧表面上安装到切割箔上；沿前侧表面上所述多个器件管芯的切割线来切割WLCSP晶片，该切割利用第一切口的刀片进行，且切割至背侧研磨晶片厚度的第一深度；再次沿所述多个器件管芯的切割线切割WLCSP晶片，该切割利用第二切口的刀片进行，所述第二切口比第一切口窄，并且切割至保护层厚度的深度；将所述多个器件管芯分离为单独的器件管芯；其中每一个单独的器件管芯在背侧具有保护层，所述保护层具有相对于单独器件管芯的竖直边缘的偏距。