存储器单元

摘要

本发明涉及存储器单元。本发明实施例提供SRAM单元以及包括所述SRAM单元的SRAM单元阵列。根据本发明实施例的SRAM单元包括上拉晶体管和下拉晶体管，从而在进行读出操作时不需要对预先读出位线进行预充电。采用本发明的方法，可以抑制漏电流的产生，从而降低SRAM芯片的功耗。

主权项

一种SRAM单元，包括核心存储电路和写入相关电路，所述SRAM单元进一步包括：第一晶体管（M11）、第二晶体管（M12）和第三晶体管（M32），其中：所述第一晶体管的源极和漏极的一个连接到工作电平，另一个连接到中间输出节点（IOUT），所述第二晶体管的源极和漏极中的一个连接到参考电平，另一个连接到所述中间输出节点，所述第一晶体管和第二晶体管的栅极连接到所述核心存储电路的输出节点（NC），所述第一晶体管和第二晶体管中的一个是N型晶体管，另一个是P型晶体管；所述第三晶体管的源极和漏极中的一个连接到所述中间输出节点，另一个连接到读出位线（RBL），所述第三晶体管的栅极连接到读出字线。