第III族氮化物半导体单晶、其制造方法、自立式衬底和半导体器件

摘要

本发明涉及第III族氮化物半导体单晶及其制造方法、自立式衬底和半导体器件。本发明的一个目的是提供一种制造第III族氮化物半导体单晶的方法，该方法使得能够通过具有任意内侧直径的坩埚制造具有平坦表面的第III族氮化物半导体单晶；提供了从第III族氮化物半导体单晶获得的自立式衬底，并提供了使用自立式衬底的半导体器件。制造方法包括添加模板、熔剂和半导体原材料到坩埚中并在旋转条件下生长第III族氮化物半导体单晶。在半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的坩埚旋转的最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1-4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝-0.78×log10(R)+3.1。

主权项

一种通过使用用于生长第III族氮化物半导体单晶的熔剂来制造第III族氮化物半导体单晶的方法，所述方法包括：将籽晶衬底、熔剂和半导体原材料添加到坩埚中并且在所述坩埚旋转的同时生长第III族氮化物半导体单晶，其中，在所述半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的所述坩埚以最大转速ω(rpm)旋转，所述最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1‑4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝‑0.78×log10(R)+3.1。