| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有侧壁结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一掺杂材料层，以完全覆盖所述凹槽的侧壁和底部；执行一退火过程，以形成包围所述凹槽的扩散层；去除所述掺杂材料层；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，能够减小所述嵌入式锗硅和所述半导体衬底相交界的区域的结漏电，不影响半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681257A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210356070.1 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲;倪景华 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有侧壁结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在所述半导体衬底上形成一掺杂材料层，以完全覆盖所述凹槽的侧壁和底部；执行一退火过程，以形成包围所述凹槽的扩散层；去除所述掺杂材料层；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||