发明名称 |
为了非易失性存储器中的耗损均衡测量单元损伤 |
摘要 |
NVM控制器为了非易失性存储器中的耗损均衡测量单元损伤,由此改善存储子系统(诸如SSD)的性能、可靠性、寿命和/或成本。在第一方面中,控制器确定读取NVM页的错误由单元损伤和/或单元泄漏引起。控制器对页重新编程并立即回读,如果在立即读取期间检测到错误,那么检测错误由单元损伤引起。在第二方面中,通过更新NVM页和/或块的单元损伤计数器来跟踪单元损伤。在第三方面中,至少部分基于所测量的NVM页和/或块单元损伤来进行耗损均衡。 |
申请公布号 |
CN103678146A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310418813.8 |
申请日期 |
2013.09.13 |
申请人 |
LSI公司 |
发明人 |
李艳;亚历山大·胡布里斯;钟浩 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I;G06F11/07(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种方法,包括:在包括一个或多个部分的非易失性存储器(NVM)中测量单元中的一个或多个的单元损伤,每个部分包括一个或多个所述单元;并且至少部分基于所述测量的至少一些结果,对所述部分进行耗损均衡。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |