钝化直立纳米结构和其制造方法

摘要

此处所描述的一设备包括：一个基板；一个或多个基本垂直延伸于该基板的纳米结构；其中该纳米结构包括掺杂半导体的一个核心，沉积到该核心上的一第一层，和与该核心类型相反并且沉积到该第一层上的一第二层。

主权项

一个设备包括：一个基板；一个或多个基本上垂直延伸于基板的纳米结构；其中该纳米结构包括一第一类型的掺杂半导体的一个核心，一个包含一轻掺杂非晶半导体或一本征非晶半导体的第一层，和一个包含与第一类型相反的第二类型的一重掺杂非晶半导体层的第二层，其中该第一层沉积到该核心上并且该第二层沉积到该第一层上。