发明名称 |
记录介质 |
摘要 |
本发明提供了一种能够以高密度记录信息的记录介质,尤其是一种对于宽范围的记录功率具有有利的记录信号特性的一次写入多次读取的光学记录介质。所述记录介质具有记录层,并通过加热所述记录层而进行记录。所述记录介质的特征在于所述记录层包含物质A和物质B,所述物质A当在记录期间进行加热时记录层所达到的温度下分解,而物质B在上述温度下不会发生化学反应或相变。 |
申请公布号 |
CN1839052B |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN200480023951.5 |
申请日期 |
2004.08.19 |
申请人 |
三菱化学媒体股份有限公司 |
发明人 |
清野贤二郎 |
分类号 |
B41M5/26(2006.01)I;G11B7/24(2006.01)I |
主分类号 |
B41M5/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰 |
主权项 |
一种记录介质,该记录介质具有记录层和与所述记录层相接触提供的粘着层,由此通过加热所述记录层进行记录,其特征在于,所述记录层包含物质A和物质B,所述物质A在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解,所述物质B在记录时的加热中记录层所达到的温度下不会发生化学反应或相变,其中所述物质A是选自Cr、Mo、W、Fe、Ge、Sn和Sb的至少一种元素的氮化物;所述物质B为选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物和/或选自Zn、Al、Y、Zr、Ti、Nb、Ni、Mg和Si的至少一种元素的氧化物;所述粘着层为Sc、Y、Ce、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Cr、In、Si、Ge、Sn、Sb或Te的氧化物,或者Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb或Pb的氮化物,或者Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In或Si的碳化物,或者Zn、Y、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi的硫化物、硒化物或碲化物,或者Mg或Ca的氟化物,或者所述粘着层为以上氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、硒化物、碲化物和氟化物的任意组合的混合物。 |
地址 |
日本东京 |