| 发明名称 | 消泡剂 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供在宽的温度范围下消泡性优异、并且制品稳定性优异的消泡剂。本发明的消泡剂的特征在于，其以下述作为必需成分：将利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒径为5～100nm的疏水性干式二氧化硅（S）、水、和含有下式所示的酯化合物（E）1～25重量%的疏水性液体（Q）。（R1-COO）p-DR1表示烷基或烯基，D表示从含有2～6个碳原子及1～6个羟基的化合物（D’）中去除参与酯键的羟基后的残基、或者从使碳原子数2～4的环氧烷烃加成于该化合物（D’）而得到的加成物中去除参与酯键的羟基后的残基，p表示1～3的整数。 | ||
| 申请公布号 | CN103596655A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201180071397.8 | 申请日期 | 2011.06.03 |
| 申请人 | 圣诺普科有限公司 | 发明人 | 安藤毅 |
| 分类号 | B01D19/04(2006.01)I | 主分类号 | B01D19/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种消泡剂，其特征在于，其以下述成分作为必需成分：将利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒径为5～100nm的疏水性干式二氧化硅（S）、水、和含有通式（1）所示的酯化合物（E）1～25重量%的疏水性液体（Q），（R1‑COO）p‑D （1）R1表示碳原子数1～21的烷基或碳原子数2～21的烯基，D表示从含有2～6个碳原子及1～6个羟基的化合物（D’）中去除参与酯键的羟基后的残基、或者从使碳原子数2～4的环氧烷烃加成于该化合物（D’）而得到的加成物中去除参与酯键的羟基后的残基，p表示1～3的整数。 | ||
| 地址 | 日本国京都府 | ||