半导体发光结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光结构制造方法，步骤包括：提供第一基板；于第一基板上形成磊晶层，磊晶层包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的第一发光层；分割磊晶层，而定义出第一磊晶结构及第二磊晶结构，并暴露出部分第一电性半导体层，其中第一电性半导体层的暴露部分上具有第一接触区，第二电性半导体层上具有第二接触区；以及形成导电支撑结构，覆盖第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。

主权项

一种半导体发光结构的制造方法，其步骤包括：提供一第一基板；于该第一基板上形成一磊晶层，其中该磊晶层包括一第一电性半导体层、一第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的一第一发光层；分割该磊晶层，而定义出一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，并暴露出部分该第一电性半导体层，其中该第一电性半导体层的暴露部分上具有一第一接触区，该第二电性半导体层上具有一第二接触区；以及形成一导电支撑结构，覆盖该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性耦合该第二磊晶结构。